OSG60R180IF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG60R180IF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 49.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для OSG60R180IF
OSG60R180IF Datasheet (PDF)
osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdf
OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60
Другие MOSFET... OSG60R150HF , OSG60R150JF , OSG60R150KF , OSG60R150PF , OSG60R180DT3F , OSG60R180FSF-NB , OSG60R180FT3F , OSG60R180HF , IRFB3607 , OSG60R180KF , OSG60R180PF , OSG60R190DT3ZF , OSG60R190DTF , OSG60R190FSZF , OSG60R190FT3ZF , OSG60R1K2AF , OSG60R1K2DF .
History: STD38NH02LT4 | FQPF12N65C | AOW292 | WM05DP01D | NTTFS4H05N | NTTFS4937NTAG | IPA045N10N3G
History: STD38NH02LT4 | FQPF12N65C | AOW292 | WM05DP01D | NTTFS4H05N | NTTFS4937NTAG | IPA045N10N3G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g