OSG60R180IF datasheet, аналоги, параметры транзистора

OSG60R180IF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R180IF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для OSG60R180IF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

OSG60R180IF даташит

..1. Size:988K oriental semi
osg60r180if.pdf pdf_icon

4.1. Size:1016K oriental semi
osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdf pdf_icon

OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60

4.2. Size:897K oriental semi
osg60r180isf.pdf pdf_icon