Справочник MOSFET. OSG60R200JSZF

 

OSG60R200JSZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R200JSZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8X8
 

 Аналог (замена) для OSG60R200JSZF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R200JSZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  oriental semi
osg60r200jszf.pdfpdf_icon

OSG60R200JSZF

 5.1. Size:948K  oriental semi
osg60r200pszf.pdfpdf_icon

OSG60R200JSZF

 5.2. Size:844K  oriental semi
osg60r200fszf.pdfpdf_icon

OSG60R200JSZF

 7.1. Size:401K  oriental semi
osg60r2k2dsf.pdfpdf_icon

OSG60R200JSZF

OSG60R2K2DSF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS S series is optimized for its switching chara

Другие MOSFET... OSG60R1K2DF , OSG60R1K2FF , OSG60R1K2PF , OSG60R1K8AF , OSG60R1K8DF , OSG60R1K8FF , OSG60R1K8PF , OSG60R200FSZF , 18N50 , OSG60R200PSZF , OSG60R260AF , OSG60R260DF , OSG60R260FF , EMP21N03HC , OSG60R260IF , OSG60R260PF , OSG60R2K2AF .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.