Справочник MOSFET. OSG60R200JSZF

 

OSG60R200JSZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R200JSZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 68.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8X8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R200JSZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  oriental semi
osg60r200jszf.pdfpdf_icon

OSG60R200JSZF

 5.1. Size:948K  oriental semi
osg60r200pszf.pdfpdf_icon

OSG60R200JSZF

 5.2. Size:844K  oriental semi
osg60r200fszf.pdfpdf_icon

OSG60R200JSZF

 7.1. Size:401K  oriental semi
osg60r2k2dsf.pdfpdf_icon

OSG60R200JSZF

OSG60R2K2DSF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS S series is optimized for its switching chara

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.