OSG60R580DT3F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R580DT3F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG60R580DT3F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R580DT3F даташит

 ..1. Size:956K  oriental semi
 osg60r580dt3f.pdf pdf_icon

OSG60R580DT3F

 3.1. Size:937K  oriental semi
 osg60r580dtf.pdf pdf_icon

OSG60R580DT3F

 4.1. Size:1082K  oriental semi
 osg60r580df.pdf pdf_icon

OSG60R580DT3F

 5.1. Size:1016K  oriental semi
 osg60r580af.pdf pdf_icon

OSG60R580DT3F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R380AF, OSG60R380DF, OSG60R380DTF, OSG60R380FF, OSG60R380IF, OSG60R380PF, OSG60R580AF, OSG60R580DF, IRF9640, OSG60R580DTF, OSG60R580FF, OSG60R580PF, OSG60R600DMZF, OSG60R670AF, OSG60R670DF, OSG60R670FF, OSG60R670PF