OSG60R900DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R900DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG60R900DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R900DF даташит

 ..1. Size:1013K  oriental semi
 osg60r900df.pdf pdf_icon

OSG60R900DF

 5.1. Size:999K  oriental semi
 osg60r900pf.pdf pdf_icon

OSG60R900DF

 5.2. Size:1040K  oriental semi
 osg60r900af.pdf pdf_icon

OSG60R900DF

 5.3. Size:1012K  oriental semi
 osg60r900ff.pdf pdf_icon

OSG60R900DF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R580FF, OSG60R580PF, OSG60R600DMZF, OSG60R670AF, OSG60R670DF, OSG60R670FF, OSG60R670PF, OSG60R900AF, IRFP064N, OSG60R900FF, OSG60R900PF, OSG65R017HT3F, OSG65R020HT3F, OSG65R022H4T3ZF, OSG65R028H4T3ZF, OSG65R028HF, OSG65R028HT3ZF