OSG60R900DF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG60R900DF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 31.4 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для OSG60R900DF
OSG60R900DF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG60R580FF , OSG60R580PF , OSG60R600DMZF , OSG60R670AF , OSG60R670DF , OSG60R670FF , OSG60R670PF , OSG60R900AF , 5N50 , OSG60R900FF , OSG60R900PF , OSG65R017HT3F , OSG65R020HT3F , OSG65R022H4T3ZF , OSG65R028H4T3ZF , OSG65R028HF , OSG65R028HT3ZF .
History: IRFR812TRPBF | KNP3208A | 2SK3412D | 2SK2749 | AOWF10N65 | SSF7510 | KNP2803A
History: IRFR812TRPBF | KNP3208A | 2SK3412D | 2SK2749 | AOWF10N65 | SSF7510 | KNP2803A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26