OSG65R022H4T3ZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R022H4T3ZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 652 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 124 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 526 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO247-4L

Аналог (замена) для OSG65R022H4T3ZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R022H4T3ZF даташит

 0.1. Size:937K  oriental semi
 osg65r022h4t3zf.pdf pdf_icon

OSG65R022H4T3ZF

 6.1. Size:972K  oriental semi
 osg65r020ht3f.pdf pdf_icon

OSG65R022H4T3ZF

 6.2. Size:889K  oriental semi
 osg65r028hf.pdf pdf_icon

OSG65R022H4T3ZF

 6.3. Size:943K  oriental semi
 osg65r028h4t3zf.pdf pdf_icon

OSG65R022H4T3ZF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R670FF, OSG60R670PF, OSG60R900AF, OSG60R900DF, OSG60R900FF, OSG60R900PF, OSG65R017HT3F, OSG65R020HT3F, IRF740, OSG65R028H4T3ZF, OSG65R028HF, OSG65R028HT3ZF, OSG65R035HF, OSG65R035HTF, OSG65R035HZF, OSG65R038H4ZF, OSG65R038HTZF