OSG65R028HF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG65R028HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R028HF
   Маркировка: OSG65R028H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 480 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 178.7 nC
   Время нарастания (tr): 87.3 ns
   Выходная емкость (Cd): 756.8 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для OSG65R028HF