OSG65R069HSF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: OSG65R069HSF
Маркировка: OSG65R069HS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 390 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 53 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 101 nC
Время нарастания (tr): 32.5 ns
Выходная емкость (Cd): 296.7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.069 Ohm
Тип корпуса: TO247
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .