OSG65R140K7SZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R140K7SZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 151 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO263-6L

Аналог (замена) для OSG65R140K7SZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R140K7SZF даташит

 ..1. Size:862K  oriental semi
osg65r140k7szf.pdfpdf_icon

OSG65R140K7SZF

 4.1. Size:874K  oriental semi
osg65r140kszf.pdfpdf_icon

OSG65R140K7SZF

 5.1. Size:926K  oriental semi
osg65r140pszf.pdfpdf_icon

OSG65R140K7SZF

 5.2. Size:882K  oriental semi
osg65r140h4szf.pdfpdf_icon

OSG65R140K7SZF

Другие IGBT... OSG65R125KF, OSG65R125PF, OSG65R125PZF, OSG65R130HT3ZF, OSG65R130PT3ZF, OSG65R140FSZF, OSG65R140H4SZF, OSG65R140HSZF, IRF1407, OSG65R140KSZF, OSG65R140PSZF, OSG65R1K5DZF, OSG65R200FEF, OSG65R200FEF-NB, OSG65R200FF, OSG65R200FSF-NB, OSG65R200FT3F