Справочник MOSFET. OSG65R200FEF

 

OSG65R200FEF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R200FEF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG65R200FEF

 

 

OSG65R200FEF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  oriental semi
osg65r200fef.pdf

OSG65R200FEF
OSG65R200FEF

 0.1. Size:896K  oriental semi
osg65r200fef-nb.pdf

OSG65R200FEF
OSG65R200FEF

 4.1. Size:947K  oriental semi
osg65r200ft3f.pdf

OSG65R200FEF
OSG65R200FEF

 4.2. Size:943K  oriental semi
osg65r200fsf-nb.pdf

OSG65R200FEF
OSG65R200FEF

 4.3. Size:996K  oriental semi
osg65r200ff.pdf

OSG65R200FEF
OSG65R200FEF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top