OSG65R290FEF-NB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R290FEF-NB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 74.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG65R290FEF-NB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R290FEF-NB даташит

 0.1. Size:914K  oriental semi
 osg65r290fef-nb.pdf pdf_icon

OSG65R290FEF-NB

 2.1. Size:991K  oriental semi
 osg65r290fef osg65r290def osg65r290kef.pdf pdf_icon

OSG65R290FEF-NB

OSG65R290xEF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger EMI and performance balanced OSG65R290FEF, OSG65R290DEF, OSG65R290KEF , Enhancement Mode N-Channel

 2.2. Size:937K  oriental semi
 osg65r290fef.pdf pdf_icon

OSG65R290FEF-NB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG65R220IZF, OSG65R220KZF, OSG65R220PZF, OSG65R260DSF, OSG65R260FSF, OSG65R260FSF-NB, OSG65R290AF, OSG65R290DF, IRF830, OSG65R290FF, OSG65R290FTF, OSG65R290KF, OSG65R290PF, OSG65R2K4AF, OSG65R2K4DF, OSG65R2K4FF, OSG65R2K4PF