OSG65R290FTF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG65R290FTF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R290FTF
   Маркировка: OSG65R290FT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG65R290FTF

OSG65R290FTF Datasheet (PDF)

..1. Size:959K oriental semi
osg65r290ftf.pdf

4.1. Size:1014K oriental semi
osg65r290ff.pdf

4.2. Size:991K oriental semi
osg65r290fef osg65r290def osg65r290kef.pdf

OSG65R290xEF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger EMI and performance balanced OSG65R290FEF, OSG65R290DEF, OSG65R290KEF , Enhancement Mode N-Channel

4.3. Size:937K oriental semi
osg65r290fef.pdf