OSG65R360GEF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: OSG65R360GEF
Маркировка: OSG65R360GE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19.7 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 57 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![OSG65R360GEF](https://alltransistors.com/images/us.png)
![OSG65R360GEF](https://alltransistors.com/images/es.png)
![OSG65R360GEF](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM0930M3 | NCES120R062T4 | NCES120R036T4 | NCEPB303GU | NCEPB302G | NCEP8818AS | NCEP8814AS | NCEP85T30T | NCEP85T30LL | NCEP85T25VD | NCEP85T25 | NCEP85T15D | NCEP85T10G | NCEP8588 | NCEP60T20LL | NCEP60T20D