Справочник MOSFET. OSG65R360GEF

 

OSG65R360GEF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R360GEF
   Маркировка: OSG65R360GE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 19.7 nC
   Время нарастания (tr): 19 ns
   Выходная емкость (Cd): 57 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6

 Аналог (замена) для OSG65R360GEF

 

 

OSG65R360GEF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:804K  oriental semi
osg65r360gef.pdf

OSG65R360GEF OSG65R360GEF

 5.1. Size:893K  oriental semi
osg65r360jef.pdf

OSG65R360GEF OSG65R360GEF

 5.2. Size:901K  oriental semi
osg65r360pef.pdf

OSG65R360GEF OSG65R360GEF

 5.3. Size:1032K  oriental semi
osg65r360def.pdf

OSG65R360GEF OSG65R360GEF

 5.4. Size:872K  oriental semi
osg65r360dtf.pdf

OSG65R360GEF OSG65R360GEF

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top