Справочник MOSFET. OSG65R380FSF-NB

 

OSG65R380FSF-NB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG65R380FSF-NB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для OSG65R380FSF-NB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R380FSF-NB Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1017K  oriental semi
osg65r380fsf-nb.pdfpdf_icon

OSG65R380FSF-NB

 2.1. Size:953K  oriental semi
osg65r380fsf.pdfpdf_icon

OSG65R380FSF-NB

 3.1. Size:963K  oriental semi
osg65r380fsef.pdfpdf_icon

OSG65R380FSF-NB

Другие MOSFET... OSG65R380AF , OSG65R380DF , OSG65R380DSF , OSG65R380DTF , OSG65R380FEF-NB , OSG65R380FF , OSG65R380FSEF , OSG65R380FSF , IRF640N , OSG65R380FTF , OSG65R380FZF , OSG65R380IF , OSG65R380KF , OSG65R380KSF , OSG65R380PF , OSG65R385DTF , OSG65R420AF .

History: FQD16N15TM

 

 
Back to Top

 


 
.