OSG65R580DF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG65R580DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R580DF
   Маркировка: OSG65R580D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 63 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9.5 nC
   Время нарастания (tr): 18 ns
   Выходная емкость (Cd): 38.3 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG65R580DF