OSG65R580FEF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: OSG65R580FEF
   Маркировка: OSG65R580FE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42.1 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам