Справочник MOSFET. OSG65R580FEF

 

OSG65R580FEF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R580FEF
   Маркировка: OSG65R580FE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42.1 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG65R580FEF

 

 

OSG65R580FEF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1124K  oriental semi
osg65r580fef.pdf

OSG65R580FEF
OSG65R580FEF

 0.1. Size:919K  oriental semi
osg65r580fef-nb.pdf

OSG65R580FEF
OSG65R580FEF

 4.1. Size:914K  oriental semi
osg65r580ft3f.pdf

OSG65R580FEF
OSG65R580FEF

 4.2. Size:1062K  oriental semi
osg65r580ff.pdf

OSG65R580FEF
OSG65R580FEF

 4.3. Size:858K  oriental semi
osg65r580ftf.pdf

OSG65R580FEF
OSG65R580FEF

 4.4. Size:921K  oriental semi
osg65r580fsf.pdf

OSG65R580FEF
OSG65R580FEF

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top