OSG65R580FSF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG65R580FSF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R580FSF
   Маркировка: OSG65R580FS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12.3 nC
   Время нарастания (tr): 14.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 43.4 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG65R580FSF