Справочник MOSFET. OSG65R580FSF

 

OSG65R580FSF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R580FSF
   Маркировка: OSG65R580FS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 43.4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG65R580FSF

 

 

OSG65R580FSF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:921K  oriental semi
osg65r580fsf.pdf

OSG65R580FSF
OSG65R580FSF

 4.1. Size:919K  oriental semi
osg65r580fef-nb.pdf

OSG65R580FSF
OSG65R580FSF

 4.2. Size:1124K  oriental semi
osg65r580fef.pdf

OSG65R580FSF
OSG65R580FSF

 4.3. Size:914K  oriental semi
osg65r580ft3f.pdf

OSG65R580FSF
OSG65R580FSF

 4.4. Size:1062K  oriental semi
osg65r580ff.pdf

OSG65R580FSF
OSG65R580FSF

 4.5. Size:858K  oriental semi
osg65r580ftf.pdf

OSG65R580FSF
OSG65R580FSF

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top