OSG65R650FZF datasheet, аналоги, параметры транзистора

OSG65R650FZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R650FZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 33.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG65R650FZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:891K oriental semi
osg65r650fzf.pdf pdf_icon

4.1. Size:1005K oriental semi
osg65r650a osg65r650d osg65r650f osg65r650p.pdf pdf_icon

5.1. Size:859K oriental semi
osg65r650dzf.pdf pdf_icon

7.1. Size:998K oriental semi
osg65r600fsf-nb.pdf pdf_icon