Справочник MOSFET. OSG65R900DF

 

OSG65R900DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R900DF
   Маркировка: OSG65R900D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для OSG65R900DF

 

 

OSG65R900DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1034K  oriental semi
osg65r900df.pdf

OSG65R900DF
OSG65R900DF

 4.1. Size:1029K  oriental semi
osg65r900def.pdf

OSG65R900DF
OSG65R900DF

 4.2. Size:936K  oriental semi
osg65r900dtf.pdf

OSG65R900DF
OSG65R900DF

 5.1. Size:1016K  oriental semi
osg65r900pf.pdf

OSG65R900DF
OSG65R900DF

 5.2. Size:896K  oriental semi
osg65r900atf.pdf

OSG65R900DF
OSG65R900DF

 5.3. Size:1074K  oriental semi
osg65r900ff.pdf

OSG65R900DF
OSG65R900DF

 5.4. Size:974K  oriental semi
osg65r900af.pdf

OSG65R900DF
OSG65R900DF

 5.5. Size:929K  oriental semi
osg65r900gtf.pdf

OSG65R900DF
OSG65R900DF

 5.6. Size:934K  oriental semi
osg65r900ftf.pdf

OSG65R900DF
OSG65R900DF

 5.7. Size:1076K  oriental semi
osg65r900fef.pdf

OSG65R900DF
OSG65R900DF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top