OSG65R900FTF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG65R900FTF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30.1 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для OSG65R900FTF
OSG65R900FTF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG65R760IF , OSG65R760PF , OSG65R900AF , OSG65R900ATF , OSG65R900DEF , OSG65R900DF , OSG65R900FEF , OSG65R900FF , 10N65 , OSG65R900GTF , OSG65R900PF , OSG70R1K4AF , OSG70R1K4DF , OSG70R1K4FF , OSG70R1K4PF , OSG70R1KAF , OSG70R1KDF .
History: HM8810A | NP80N04NUG | IXFR4N100Q | IRFP344PBF | APT20M45SVR | BRCS016N03ZC
History: HM8810A | NP80N04NUG | IXFR4N100Q | IRFP344PBF | APT20M45SVR | BRCS016N03ZC



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837