OSG65R900FTF datasheet, аналоги, параметры транзистора

OSG65R900FTF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R900FTF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG65R900FTF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:934K oriental semi
osg65r900ftf.pdf pdf_icon

4.1. Size:1074K oriental semi
osg65r900ff.pdf pdf_icon

4.2. Size:1076K oriental semi
osg65r900fef.pdf pdf_icon

5.1. Size:1029K oriental semi
osg65r900def.pdf pdf_icon