OSG65R900PF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R900PF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для OSG65R900PF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R900PF даташит

 ..1. Size:1016K  oriental semi
 osg65r900pf.pdf pdf_icon

OSG65R900PF

 5.1. Size:1029K  oriental semi
 osg65r900def.pdf pdf_icon

OSG65R900PF

 5.2. Size:1034K  oriental semi
 osg65r900df.pdf pdf_icon

OSG65R900PF

 5.3. Size:896K  oriental semi
 osg65r900atf.pdf pdf_icon

OSG65R900PF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG65R900AF, OSG65R900ATF, OSG65R900DEF, OSG65R900DF, OSG65R900FEF, OSG65R900FF, OSG65R900FTF, OSG65R900GTF, SI2302, OSG70R1K4AF, OSG70R1K4DF, OSG70R1K4FF, OSG70R1K4PF, OSG70R1KAF, OSG70R1KDF, OSG70R1KFF, OSG70R1KPF