OSG70R2K6AF datasheet, подбор замены

OSG70R2K6AF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R2K6AF

Маркировка: OSG70R2K6A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.9 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12.08 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO251

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам