OSG70R2K6AF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG70R2K6AF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG70R2K6AF
   Маркировка: OSG70R2K6A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 22.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 7.9 nC
   Время нарастания (tr): 11.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 12.08 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для OSG70R2K6AF