OSG70R2K6DF datasheet, аналоги, параметры транзистора

OSG70R2K6DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R2K6DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12.08 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG70R2K6DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:1046K oriental semi
osg70r2k6df.pdf pdf_icon

5.1. Size:1022K oriental semi
osg70r2k6ff.pdf pdf_icon

5.2. Size:1006K oriental semi
osg70r2k6af.pdf pdf_icon

5.3. Size:1038K oriental semi
osg70r2k6pf.pdf pdf_icon