OSG70R350KF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R350KF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для OSG70R350KF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG70R350KF даташит

 ..1. Size:1058K  oriental semi
osg70r350kf.pdfpdf_icon

OSG70R350KF

 5.1. Size:1062K  oriental semi
osg70r350ff.pdfpdf_icon

OSG70R350KF

 5.2. Size:876K  oriental semi
osg70r350dtf.pdfpdf_icon

OSG70R350KF

 5.3. Size:1026K  oriental semi
osg70r350af.pdfpdf_icon

OSG70R350KF

Другие IGBT... OSG70R2K6AF, OSG70R2K6DF, OSG70R2K6FF, OSG70R2K6PF, OSG70R350AF, OSG70R350DF, OSG70R350DTF, OSG70R350FF, IRF830, OSG70R350PF, OSG70R360DF, OSG70R360DSF, OSG70R360DTF, OSG70R360FSF, OSG70R360FSF-NB, OSG70R360FTF, OSG70R360KSF