OSG80R190PF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG80R190PF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для OSG80R190PF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG80R190PF даташит

 ..1. Size:972K  oriental semi
 osg80r190pf.pdf pdf_icon

OSG80R190PF

 5.1. Size:924K  oriental semi
 osg80r190hf.pdf pdf_icon

OSG80R190PF

 7.1. Size:1077K  oriental semi
 osg80r1k4df.pdf pdf_icon

OSG80R190PF

 7.2. Size:902K  oriental semi
 osg80r140kf.pdf pdf_icon

OSG80R190PF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG70R600DSF, OSG70R750AF, OSG70R750FF, OSG70R750PF, OSG70R900DTF, OSG80R069HF, OSG80R140KF, OSG80R190HF, IRFZ44, OSG80R1K4AF, OSG80R1K4FF, OSG80R1K4PF, OSG80R250HF, OSG80R250KF, OSG80R250PF, OSG80R2KFF, OSG80R300FF