OSG80R650DF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG80R650DF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 44.8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для OSG80R650DF
OSG80R650DF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG80R380DF , OSG80R380DSF , OSG80R380FF , OSG80R380HF , OSG80R380KF , OSG80R380PF , OSG80R600FF , OSG80R650AF , K3569 , OSG80R650FF , OSG80R650IF , OSG80R650PF , OSG80R900DF , OSG80R900FF , OSG90R1K2AF , OSG90R1K2DF , OSG90R1K2IF .
History: LNH06R310 | YJS10N04A | TPU65R360M | SWP30N06 | IPD50N04S3-08 | CJAC150N03
History: LNH06R310 | YJS10N04A | TPU65R360M | SWP30N06 | IPD50N04S3-08 | CJAC150N03



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264