Справочник MOSFET. OSG80R650DF

 

OSG80R650DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG80R650DF
   Маркировка: OSG80R650D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG80R650DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1034K  oriental semi
osg80r650df.pdfpdf_icon

OSG80R650DF

 5.1. Size:1007K  oriental semi
osg80r650pf.pdfpdf_icon

OSG80R650DF

 5.2. Size:1033K  oriental semi
osg80r650if.pdfpdf_icon

OSG80R650DF

 5.3. Size:1033K  oriental semi
osg80r650af.pdfpdf_icon

OSG80R650DF

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.