OSS60R099HF datasheet, подбор замены

OSS60R099HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSS60R099HF  📄📄 

Маркировка: OSS60R099H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 21.6 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 32.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO247

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам