Справочник MOSFET. OSS60R099HF

 

OSS60R099HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSS60R099HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для OSS60R099HF

 

 

OSS60R099HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:848K  oriental semi
oss60r099hf.pdf

OSS60R099HF
OSS60R099HF

 5.1. Size:848K  oriental semi
oss60r099pf.pdf

OSS60R099HF
OSS60R099HF

 5.2. Size:844K  oriental semi
oss60r099jf oss60r099tf.pdf

OSS60R099HF
OSS60R099HF

 5.3. Size:875K  oriental semi
oss60r099jf.pdf

OSS60R099HF
OSS60R099HF

 5.4. Size:827K  oriental semi
oss60r099kf.pdf

OSS60R099HF
OSS60R099HF

 5.5. Size:855K  oriental semi
oss60r099tf.pdf

OSS60R099HF
OSS60R099HF

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WMJ26N65SR | STD95N4F3

 

 
Back to Top