SFG08R08PF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG08R08PF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 963.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFG08R08PF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG08R08PF даташит

 ..1. Size:1041K  oriental semi
sfg08r08pf.pdfpdf_icon

SFG08R08PF

 6.1. Size:1066K  oriental semi
sfg08r08gf.pdfpdf_icon

SFG08R08PF

 6.2. Size:1119K  oriental semi
sfg08r08df.pdfpdf_icon

SFG08R08PF

 7.1. Size:1087K  oriental semi
sfg08r06df.pdfpdf_icon

SFG08R08PF

Другие IGBT... OSS65R240JF, OSS65R340DF, OSS65R340FF, OSS65R340JF, OSS70R350DF, SFG08R06GF, SFG08R08DF, SFG08R08GF, AO3407, SFG08R16BF, SFG08R16DF, SFG08S06DF, SFG08S06GF, SFG08S10BF, SFG08S10DF, SFG100N08GF, SFG100N08KF