SFG10R10DF datasheet, аналоги, параметры транзистора

SFG10R10DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG10R10DF 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SFG10R10DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:961K oriental semi
sfg10r10df.pdf pdf_icon

6.1. Size:1021K oriental semi
sfg10r10pf.pdf pdf_icon

6.2. Size:1059K oriental semi
sfg10r10bf.pdf pdf_icon

6.3. Size:989K oriental semi
sfg10r10ff.pdf pdf_icon