SFG10R12AF datasheet, аналоги, параметры транзистора

SFG10R12AF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG10R12AF 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 359.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SFG10R12AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:891K oriental semi
sfg10r12af.pdf pdf_icon

6.1. Size:907K oriental semi
sfg10r12df.pdf pdf_icon

6.2. Size:1099K oriental semi
sfg10r12bf.pdf pdf_icon

6.3. Size:970K oriental semi
sfg10r12pf.pdf pdf_icon