SFG10S08DF datasheet, аналоги, параметры транзистора

SFG10S08DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG10S08DF 📄📄

Маркировка: SFG10S08D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 33.9 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1191 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFG10S08DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:873K oriental semi
sfg10s08df.pdf pdf_icon

6.1. Size:1009K oriental semi
sfg10s08pf.pdf pdf_icon

6.2. Size:1000K oriental semi
sfg10s08gf.pdf pdf_icon

8.1. Size:921K oriental semi
sfg10s12bf.pdf pdf_icon