SFG10S10GF datasheet, аналоги, параметры транзистора

SFG10S10GF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG10S10GF 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 322 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFG10S10GF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:826K oriental semi
sfg10s10gf.pdf pdf_icon

6.1. Size:866K oriental semi
sfg10s10df.pdf pdf_icon

6.2. Size:819K oriental semi
sfg10s10pf.pdf pdf_icon

7.1. Size:921K oriental semi
sfg10s12bf.pdf pdf_icon