SFG110N12IF datasheet, аналоги, параметры транзистора

SFG110N12IF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG110N12IF 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 779 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO262

📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFG110N12IF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:783K oriental semi
sfg110n12if.pdf pdf_icon

5.1. Size:919K oriental semi
sfg110n12pf.pdf pdf_icon

5.2. Size:813K oriental semi
sfg110n12ff.pdf pdf_icon

5.3. Size:788K oriental semi
sfg110n12kf.pdf pdf_icon