SFG170N10PF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SFG170N10PF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SFG170N10PF
   Маркировка: SFG170N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 340 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 170 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 115 nC
   Время нарастания (tr): 19.7 ns
   Выходная емкость (Cd): 1300 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFG170N10PF