SFG170N10PF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG170N10PF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 340 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFG170N10PF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG170N10PF даташит

 ..1. Size:941K  oriental semi
 sfg170n10pf.pdf pdf_icon

SFG170N10PF

 5.1. Size:813K  oriental semi
 sfg170n10kf.pdf pdf_icon

SFG170N10PF

Другие IGBT... SFG130N10KF, SFG130N10PF, SFG130N15PF, SFG150N10KF, SFG150N10PF, SFG15N10DF, SFG15R25GF, SFG170N10KF, IRFP260, SFG180N10HF, SFG180N10KF, SFG180N10PF, SFG250N08KF, SFG250N08PF, SFG280N08KF, SFG280N08PF, SFG60N12FF