Справочник MOSFET. AP20P30Q

 

AP20P30Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP20P30Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP20P30Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1435K  1
 ap20p30q.pdf pdf_icon

AP20P30Q

 9.1. Size:80K  ape
 ap20p02gh ap20p02gj.pdf pdf_icon

AP20P30Q

AP20P02GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement D BVDSS -20V 2.5V Gate Drive Capability RDS(ON) 52mFast Switching ID -18A GSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast sw

Другие MOSFET... SFS12R08FNF , SFS12R08GNF , SFS12R08PNF , SFS130N06GF , SFS15R065KNF , SFS15R065PNF , AP0803QD , AP2045Q , 2SK3918 , AP30H50Q , AP30H80G , AP30H80Q , AP3908GD , AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G .

History: KF7N68F

 

 
Back to Top

 


 
.