Справочник MOSFET. AP4910GD

 

AP4910GD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4910GD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для AP4910GD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4910GD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1546K  1
ap4910gd.pdfpdf_icon

AP4910GD

Другие MOSFET... AP30H80G , AP30H80Q , AP3908GD , AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD , IRF3205 , AP60P20Q , AP68N06G , AP80N04G , AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G .

History: VBM1105 | RFD7N10LESM | CHM8206JGP | AD7N60S | 2SK2111 | GSM3416 | AMA930N

 

 
Back to Top

 


 
.