Справочник MOSFET. ASDM30N55E-R

 

ASDM30N55E-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ASDM30N55E-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для ASDM30N55E-R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM30N55E-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  1
 asdm30n55e-r.pdf pdf_icon

ASDM30N55E-R

ASDM30N55E30V N-CHANNEL MOSFETFeatureProduct Summary100% EAS GuaranteedVDS 30 VGreen Device AvailableSuper Low Gate ChargeRDS(on),typ VGS=10V 4.8 mExcellent CdV/dt effect declineA55IDAdvanced high cell density Trench technologyApplication Power Management in Inverter Systemtop viewDFN3.3*3.3-8Maximum ratings, at T A=25 C, unless othe

 4.1. Size:348K  ascend
 asdm30n55e.pdf pdf_icon

ASDM30N55E-R

ASDM30N55E30V N-CHANNEL MOSFETFeatureProduct Summary100% EAS GuaranteedVDS 30 VGreen Device AvailableSuper Low Gate ChargeRDS(on),typ VGS=10V 4.8 mExcellent CdV/dt effect declineA55IDAdvanced high cell density Trench technologyApplication Power Management in Inverter Systemtop viewDFN3.3*3.3-8Maximum ratings, at T A=25 C, unless othe

 7.1. Size:315K  1
 asdm30n65e-r.pdf pdf_icon

ASDM30N55E-R

ASDM30N65E30V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeaturel Low Gate Charge VDS 30 Vl Green Device Available4.5 mRDS(on),typ VGS=10Vl Super Low Gate ChargeA65IDl Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyApplicationsl Power Management in Desktop Computer or DC/DCConverters.l Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial.

 7.2. Size:315K  ascend
 asdm30n65e.pdf pdf_icon

ASDM30N55E-R

ASDM30N65E30V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeaturel Low Gate Charge VDS 30 Vl Green Device Available4.5 mRDS(on),typ VGS=10Vl Super Low Gate ChargeA65IDl Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyApplicationsl Power Management in Desktop Computer or DC/DCConverters.l Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP68N06G , AP80N04G , AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , IRF1404 , ASDM30N65E-R , ASDM30P11TD-R , ASDM30P30CTD-R , ASDM40N52E-R , AUIRFN8405TR , CJAC100SN08U , CJAC110SN10A , CJAC80SN10 .

History: BUK92150-55A | SVS20N60SD2TR | CEM9926 | AP2762I-H-HF | ME4894 | PH4330L

 

 
Back to Top

 


 
.