Справочник MOSFET. CJAC110SN10A

 

CJAC110SN10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJAC110SN10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 902 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAC110SN10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2395K  1
 cjac110sn10a.pdf pdf_icon

CJAC110SN10A

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10A N-Channel Power MOSFETPDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(onTYP ID 3.4m@10V100V 110A4.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAC110SN10A uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

 3.1. Size:1662K  1
 cjac110sn10.pdf pdf_icon

CJAC110SN10A

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10 N-Channel Power MOSFETPDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 4.3m@10V 110ADESCRIPTION The CJAC110SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Hig

 3.2. Size:1662K  jiangsu
 cjac110sn10.pdf pdf_icon

CJAC110SN10A

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10 N-Channel Power MOSFETPDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 4.3m@10V 110ADESCRIPTION The CJAC110SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Hig

 7.1. Size:2101K  1
 cjac110n03.pdf pdf_icon

CJAC110SN10A

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110N03 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPPDFN 56-8L 1.8m@10V30 V110A3.5m@4.5VDESCRIPTION FEATURES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MTP12P10G | 4N60G-TF3-T | HAT1026R | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.