CJAC80SN10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CJAC80SN10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L
Аналог (замена) для CJAC80SN10
CJAC80SN10 Datasheet (PDF)
cjac80sn10.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC80SN10 N-Channel Power MOSFET PDFN 56-8L ID V(BR)DSS RDS(on)TYP6.2m@10V100 V80A8.8m@4.5VDESCRIPTION The CJAC80SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEAT
cjac80n03.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC80N03 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPPDFN 56-8L 3.0m@10V30 V80A4.3m@4.5VDESCRIPTION The CJAC80N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES
cjac80n03.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC80N03 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPPDFN 56-8L 3.0m@10V30 V80A4.3m@4.5VDESCRIPTION The CJAC80N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES
Другие MOSFET... ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R , ASDM30P11TD-R , ASDM30P30CTD-R , ASDM40N52E-R , AUIRFN8405TR , CJAC100SN08U , CJAC110SN10A , IRFB4227 , DMN3009LFVW-7 , DMN3010LFG-7 , DMN3016LPS-13 , DMNH10H028SPSQ-13 , DMNH4006SPSQ-13 , DMP2002UPS-13 , DMP22M2UPS-13 , DMP3007SPS-13 .
History: 2SK3667 | BLS6G3135S-20 | H7N0310LS
History: 2SK3667 | BLS6G3135S-20 | H7N0310LS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388