CJAC80SN10. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CJAC80SN10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L
Аналог (замена) для CJAC80SN10
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CJAC80SN10 даташит
cjac80sn10.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC80SN10 N-Channel Power MOSFET PDFN 5 6-8L ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 6.2m @10V 100 V 80A 8.8m @4.5V DESCRIPTION The CJAC80SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEAT
Другие MOSFET... ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R , ASDM30P11TD-R , ASDM30P30CTD-R , ASDM40N52E-R , AUIRFN8405TR , CJAC100SN08U , CJAC110SN10A , 10N60 , DMN3009LFVW-7 , DMN3010LFG-7 , DMN3016LPS-13 , DMNH10H028SPSQ-13 , DMNH4006SPSQ-13 , DMP2002UPS-13 , DMP22M2UPS-13 , DMP3007SPS-13 .
History: ASDM30P30CTD-R
History: ASDM30P30CTD-R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388