CJAC80SN10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CJAC80SN10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L
Аналог (замена) для CJAC80SN10
CJAC80SN10 Datasheet (PDF)
cjac80sn10.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC80SN10 N-Channel Power MOSFET PDFN 56-8L ID V(BR)DSS RDS(on)TYP6.2m@10V100 V80A8.8m@4.5VDESCRIPTION The CJAC80SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEAT
cjac80n03.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC80N03 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPPDFN 56-8L 3.0m@10V30 V80A4.3m@4.5VDESCRIPTION The CJAC80N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES
cjac80n03.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC80N03 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPPDFN 56-8L 3.0m@10V30 V80A4.3m@4.5VDESCRIPTION The CJAC80N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES
Другие MOSFET... ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R , ASDM30P11TD-R , ASDM30P30CTD-R , ASDM40N52E-R , AUIRFN8405TR , CJAC100SN08U , CJAC110SN10A , 7N65 , DMN3009LFVW-7 , DMN3010LFG-7 , DMN3016LPS-13 , DMNH10H028SPSQ-13 , DMNH4006SPSQ-13 , DMP2002UPS-13 , DMP22M2UPS-13 , DMP3007SPS-13 .
History: AP2611GYT-HF | SMD2N65 | TMD4N60 | IRF7455TR | MTB050P10E3 | 2SK2953 | AP22T03GH-HF
History: AP2611GYT-HF | SMD2N65 | TMD4N60 | IRF7455TR | MTB050P10E3 | 2SK2953 | AP22T03GH-HF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388