Справочник MOSFET. DMP22M2UPS-13

 

DMP22M2UPS-13 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMP22M2UPS-13
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2547 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: POWERDI5060-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMP22M2UPS-13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:647K  1
dmp22m2ups-13.pdfpdf_icon

DMP22M2UPS-13

DMP22M2UPS Green20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) max TC = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On State Losses 2.5m @ VGS = -10V -60A -20V

 4.1. Size:596K  diodes
dmp22m2ups.pdfpdf_icon

DMP22M2UPS-13

DMP22M2UPS Green20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) max TC = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On State Losses 2.5m @ VGS = -10V -60A -20V

 9.1. Size:349K  diodes
dmp2200ufcl.pdfpdf_icon

DMP22M2UPS-13

DMP2200UFCLDual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Summary Features Typical off board profile of 0.5mm - ideally suited for thin V(BR)DSS RDS(on) max ID max applications 200m @VGS = -4.5V -1.7 A Low RDS(ON) minimizes conduction losses 290m @VGS = -2.5V -1.3 A -20V PCB footprint of 2.56mm2 390m @VGS = -1.8V -1.1 A Totally Lead-Free & Fully RoHS Co

 9.2. Size:324K  diodes
dmp2200udw.pdfpdf_icon

DMP22M2UPS-13

DMP2200UDW Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Summary Features Low RDS(ON) Minimizes Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) max ID max Low Input Capacitance 260m @VGS = -4.5V Fast Switching Speed -20V 500m @VGS = -2.5V -0.9 A Low Input/Output Leakage 1000m @VGS = -1.8V ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.