Справочник MOSFET. DMT3009LFVW-7

 

DMT3009LFVW-7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMT3009LFVW-7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 352 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: POWERDI3333-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMT3009LFVW-7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:520K  1
dmt3009lfvw-7.pdfpdf_icon

DMT3009LFVW-7

DMT3009LFVW 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX) Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher TC = +25C Density End Products 11m @ VGS = 10V 50A Occupies Just 33% of The Board Area Occupied by

 3.1. Size:520K  diodes
dmt3009lfvw.pdfpdf_icon

DMT3009LFVW-7

DMT3009LFVW 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX) Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher TC = +25C Density End Products 11m @ VGS = 10V 50A Occupies Just 33% of The Board Area Occupied by

 6.1. Size:449K  diodes
dmt3009ldt.pdfpdf_icon

DMT3009LFVW-7

DMT3009LDT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Max Low Gate Threshold Voltage Device BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) C (Note 10) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 11.1m @ VGS = 10V 30A Q1 & Q2 30V 13.8m @ VGS = 4.5V 28A 22.0m @ VGS = 3.8V 22A

 8.1. Size:337K  1
dmt3006lps-13.pdfpdf_icon

DMT3009LFVW-7

DMT3006LPS GreenN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses ID max Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) max TC = +25C Advanced Technology for DC-DC Converters Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 6m @ VGS = 10V 65A Density En

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SM4373NSKP | IXFX55N50F | SWF13N50D | FIR8N80FG | PJA3400 | DMG4468LK3 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.