DMT6004LPS-13. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMT6004LPS-13

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1477 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm

Тип корпуса: POWERDI5060-8

Аналог (замена) для DMT6004LPS-13

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMT6004LPS-13 даташит

 ..1. Size:378K  1
 dmt6004lps-13.pdf pdf_icon

DMT6004LPS-13

DMT6004LPS Green 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features ID MAX 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses 100A 3.1m @ VGS = 10V Low QG Minimizes Switching Losses 60V Lead-Free Finish; RoHS Comp

 4.1. Size:378K  diodes
 dmt6004lps.pdf pdf_icon

DMT6004LPS-13

DMT6004LPS Green 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features ID MAX 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses 100A 3.1m @ VGS = 10V Low QG Minimizes Switching Losses 60V Lead-Free Finish; RoHS Comp

 7.1. Size:287K  diodes
 dmt6004sct.pdf pdf_icon

DMT6004LPS-13

DMT6004SCT 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application ID Low Input Capacitance BVDSS RDS(ON) max TC = +25 C Low Input/Output Leakage (Note 9) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 60V 3.65m @ VGS = 10V 100A Halogen and Antimony Fre

 7.2. Size:261K  inchange semiconductor
 dmt6004sct.pdf pdf_icon

DMT6004LPS-13

isc N-Channel MOSFET Transistor DMT6004SCT FEATURES Drain Current I = 100A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.65m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMP3017SFV-7, DMP4015SPS-13, DMT10H015LPS-13, DMT3006LFV-7, DMT3006LPS-13, DMT3009LFVW-7, DMT31M6LPS-13, DMT32M5LPS-13, 4435, DMT6005LPS-13, DMT6009LPS-13, DMT6016LPS-13, DMTH4007LPS-13, DMTH6002LPS-13, DMTH6010LPSQ-13, DMTH8003SPS-13, DMTH8012LPSW-13