STM4637 - описание и поиск аналогов

 

STM4637. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STM4637

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для STM4637

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM4637 даташит

 ..1. Size:157K  samhop
stm4637.pdfpdf_icon

STM4637

STM4637 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 30 @ VGS=-10V Suface Mount Package. -30V -7.7A 48 @ VGS=-4.5V ESD Protected. D 5 4 G D 6 3 S 7 2 D S S O-8 8 1 D S 1 (TA=25 C unless otherwise noted) A

 8.1. Size:157K  samhop
stm4633.pdfpdf_icon

STM4637

STM4633 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 33 @ VGS=-10V Suface Mount Package. -30V -7.0A 52 @ VGS=-4.5V ESD Protected. D 5 4 G 6 3 D S 7 2 D S S O-8 D 8 1 S 1 (TA=25 C unless otherwise noted) AB

 8.2. Size:108K  samhop
stm4639t.pdfpdf_icon

STM4637

Green Product STM4639T a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 12.5 @ VGS=-10V Suface Mount Package. -30V -10A 16.5 @ VGS=-4.5V ESD Protected. D 5 4 G 6 3 D S 7 2 D S SO-8 D 8 1 S 1 ABSOLUTE MAXIMUM R

 8.3. Size:122K  samhop
stm4639.pdfpdf_icon

STM4637

Green Product STM4639 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.1 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 8.5 @ VGS=-10V Suface Mount Package. -30V -14A 13 @ VGS=-4.5V ESD Procteced D 5 4 G 6 3 D S 7 2 D S SO- 8 D 8 1 S 1 ) ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие MOSFET... FDP025N06 , FDP030N06 , FDP032N08 , FDP036N10A , STM4639 , FDP038AN06A0 , FDP040N06 , FDP045N10AF102 , IRFZ46N , FDP047N08 , FDP047N10 , STM4635 , FDP050AN06A0 , FDP054N10 , STM4633 , FDP060AN08A0 , FDP075N15AF102 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.