HYG011N04LS1C2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HYG011N04LS1C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 165 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1278 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для HYG011N04LS1C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG011N04LS1C2 даташит

 ..1. Size:775K  1
 hyg011n04ls1c2.pdf pdf_icon

HYG011N04LS1C2

HYG011N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/165A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.1m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 1.5m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme

 9.1. Size:625K  1
 hyg017n04ls1c2.pdf pdf_icon

HYG011N04LS1C2

HYG017N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/135A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.7m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.3m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme

 9.2. Size:638K  1
 hyg015n04ls1c2.pdf pdf_icon

HYG011N04LS1C2

HYG015N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/150A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.4m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.0m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme

 9.3. Size:706K  1
 hyg013n03ls1c2.pdf pdf_icon

HYG011N04LS1C2

HYG013N03LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/150A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.3m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.0m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HSBA6115, HSBA6214, HSBB3072, HSBB6113, HSBB6254, HY1906C2, HYG007N03LS1C2, HYG009N04LS1C2, IRF520, HYG013N03LS1C2, HYG015N04LS1C2, HYG017N04LS1C2, HYG019N04NR1C2, HYG023N03LR1C2, HYG025N04NA1C2, HYG045N03LA1C1, HYG055N08NS1C2