HYG017N04LS1C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HYG017N04LS1C2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 41 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 813 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HYG017N04LS1C2 Datasheet (PDF)
hyg017n04ls1c2.pdf

HYG017N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/135A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.7m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.3m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme
hyg015n04ls1c2.pdf

HYG015N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/150A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.4m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.0m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme
hyg013n03ls1c2.pdf

HYG013N03LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/150A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.3m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.0m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme
hyg019n04nr1c2.pdf

HYG019N04NR1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 40V/127AD D D DD D D DRDS(ON)= 2.0 m(typ.) @VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Battery ProtectionSingle N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: FDMS3672 | SSP4N80A | RQ3E080BN | OSG60R017HT3F | TPD60R360MFD | NTHL190N65S3HF | IXFP18N65X2
History: FDMS3672 | SSP4N80A | RQ3E080BN | OSG60R017HT3F | TPD60R360MFD | NTHL190N65S3HF | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611