HYG023N03LR1C2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HYG023N03LR1C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 561 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: PPAK5X6-8L

Аналог (замена) для HYG023N03LR1C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG023N03LR1C2 даташит

 ..1. Size:793K  1
 hyg023n03lr1c2.pdf pdf_icon

HYG023N03LR1C2

HYG023N03LR1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/125A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.5m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.1m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/

 2.1. Size:1225K  hymexa
 hyg023n03lr1d hyg023n03lr1u hyg023n03lr1v.pdf pdf_icon

HYG023N03LR1C2

HYG023N03LR1D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/110A RDS(ON)= 2.1m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 2.7m (typ.)@VGS = 4.5V S D S G D 100% Avalanche Tested G Reliable and Rugged S D G Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching Application Power Mana

 9.1. Size:1497K  1
 hyg025n06ls1c2.pdf pdf_icon

HYG023N03LR1C2

HYG025N06LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D 60V/170A RDS(ON)= 2.1 m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S (RoHS Compliant) Pin1 PDFN8L 5x6 Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous B

 9.2. Size:1254K  1
 hyg025n04na1c2.pdf pdf_icon

HYG023N03LR1C2

HYG025N04NA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 40V/190A RDS(ON)= 1.4m (typ.) @VGS = 10V D D D D D D D D 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G PDFN8L(5x6) Applications Load Switch Lithium battery protect board Single N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Pac

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HY1906C2, HYG007N03LS1C2, HYG009N04LS1C2, HYG011N04LS1C2, HYG013N03LS1C2, HYG015N04LS1C2, HYG017N04LS1C2, HYG019N04NR1C2, 8N60, HYG025N04NA1C2, HYG045N03LA1C1, HYG055N08NS1C2, HYG072N10LS1C2, HYG110P04LQ2C2, IPLK60R1K0PFD7, IPLK60R1K5PFD7, IPLK60R360PFD7