Справочник MOSFET. HYG023N03LR1C2

 

HYG023N03LR1C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG023N03LR1C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 561 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: PPAK5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG023N03LR1C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:793K  1
hyg023n03lr1c2.pdfpdf_icon

HYG023N03LR1C2

HYG023N03LR1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/125AD D D D D D D D RDS(ON)= 1.5m (typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.1m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S S S S S G Pin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/

 2.1. Size:1225K  hymexa
hyg023n03lr1d hyg023n03lr1u hyg023n03lr1v.pdfpdf_icon

HYG023N03LR1C2

HYG023N03LR1D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/110ARDS(ON)= 2.1m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 2.7m(typ.)@VGS = 4.5VSD SG D 100% Avalanche TestedG Reliable and Rugged SD G Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching Application Power Mana

 9.1. Size:1497K  1
hyg025n06ls1c2.pdfpdf_icon

HYG023N03LR1C2

HYG025N06LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 60V/170ARDS(ON)= 2.1 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous B

 9.2. Size:1254K  1
hyg025n04na1c2.pdfpdf_icon

HYG023N03LR1C2

HYG025N04NA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 40V/190ARDS(ON)= 1.4m(typ.) @VGS = 10VD D D DD D D D 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPac

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MTB09N03H8 | OSG65R200FF | FDP150N10AF102 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV | CEP20P10

 

 
Back to Top

 


 
.