HYG055N08NS1C2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HYG055N08NS1C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 89 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: PPAK5X6-8L

Аналог (замена) для HYG055N08NS1C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG055N08NS1C2 даташит

 ..1. Size:746K  1
 hyg055n08ns1c2.pdf pdf_icon

HYG055N08NS1C2

HYG055N08NS1C2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/85A D D D D D D D D RDS(ON)=4.8 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6 8L - Applications Switching application Power management for inverter systems Motor contr

 2.1. Size:901K  1
 hyg055n08ns1p hyg055n08ns1b.pdf pdf_icon

HYG055N08NS1C2

HYG055N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/120A RDS(ON)=5.3 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged D G Lead-Free and Green Devices Available S D G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Motor control N

 9.1. Size:420K  1
 hyg053n10ns1p hyg053n10ns1b.pdf pdf_icon

HYG055N08NS1C2

HYG053N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/120A RDS(ON)=4.8 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Battery management N-Channel MOSFET

 9.2. Size:822K  hymexa
 hyg050n08ns1p hyg050n08ns1b.pdf pdf_icon

HYG055N08NS1C2

HYG050N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/130A RDS(ON)= 4 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged D G Lead-Free and Green Devices Available S D G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Chan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HYG011N04LS1C2, HYG013N03LS1C2, HYG015N04LS1C2, HYG017N04LS1C2, HYG019N04NR1C2, HYG023N03LR1C2, HYG025N04NA1C2, HYG045N03LA1C1, AO3400A, HYG072N10LS1C2, HYG110P04LQ2C2, IPLK60R1K0PFD7, IPLK60R1K5PFD7, IPLK60R360PFD7, IPLK60R600PFD7, IRFH3707TRPBF, IRFH5006TRPBF