Справочник MOSFET. JMSL0406AG

 

JMSL0406AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL0406AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 536 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для JMSL0406AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0406AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  1
jmsl0406ag.pdfpdf_icon

JMSL0406AG

JMSL0406AG40V 4.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge VGS(th)1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)4.2 mApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

 9.1. Size:276K  1
jmsl0302au.pdfpdf_icon

JMSL0406AG

JMSL0302AU30V 1.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)_Typ1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management i

 9.2. Size:236K  1
jmsl0302ag.pdfpdf_icon

JMSL0406AG

JMSL0302AG30V 1.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management in Computing,

 9.3. Size:277K  1
jmsl0606ag.pdfpdf_icon

JMSL0406AG

JMSL0606AG60V 4.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V)4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V)5.2 mApplications Power Managerment in Telecom., Industrial

Другие MOSFET... IRFHM3911TRPBF , IRFHM792TRPBF , IRFHM830TRPBF , IRFHM8329TRPBF , IRLH6224TRPBF , IRLHM630TRPBF , JMSL0302AG , JMSL0302AU , IRF640 , JMSL0606AG , JMTG040N03A , JMTG3002B , JMTQ35N06A , JMTQ55P02A , JSM2050 , JSM2622 , JSM3622 .

History: SWHA60N04V | SMK0465FJ | SFF75N06-28 | WMB46N03T1 | NP89N04PDK | ME4468-G | SI2301-P

 

 
Back to Top

 


 
.