JMTG3002B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JMTG3002B
Маркировка: G3002B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
Время нарастания (tr): 6.5 ns
Выходная емкость (Cd): 682 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0024 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
JMTG3002B Datasheet (PDF)
..1. Size:569K 1
jmtg3002b.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
jmtg3002b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
JMTG3002B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V,120A Load Switch R
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .