JMTQ35N06A - описание и поиск аналогов

 

JMTQ35N06A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JMTQ35N06A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для JMTQ35N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ35N06A даташит

 ..1. Size:627K  1
jmtq35n06a.pdfpdf_icon

JMTQ35N06A

JMTQ35N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,35A Load Switch R

 ..2. Size:1288K  jiejie micro
jmtq35n06a.pdfpdf_icon

JMTQ35N06A

 9.1. Size:628K  jiejie micro
jmtq3010d.pdfpdf_icon

JMTQ35N06A

JMTQ3010D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 22A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:1237K  jiejie micro
jmtq3005c.pdfpdf_icon

JMTQ35N06A

30V, 61A, 5.4m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ3005C Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 61 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.3 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.4 mW Applications Load Switch PW

Другие MOSFET... IRLH6224TRPBF , IRLHM630TRPBF , JMSL0302AG , JMSL0302AU , JMSL0406AG , JMSL0606AG , JMTG040N03A , JMTG3002B , IRLZ44N , JMTQ55P02A , JSM2050 , JSM2622 , JSM3622 , JSM36326 , JSM6435 , JSM6764 , JSM7240 .

History: STF12N65M5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.