Справочник MOSFET. MCAC30N06Y-TP

 

MCAC30N06Y-TP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MCAC30N06Y-TP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060

 Аналог (замена) для MCAC30N06Y-TP

 

 

MCAC30N06Y-TP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:920K  1
 mcac30n06y-tp.pdf

MCAC30N06Y-TP MCAC30N06Y-TP

MCAC30N06YElectrical Characteristics @ 25C (Unless OtherwiseSpecified)Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max UnitStatic ParameterV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 60 VVGS(th) VDS=VGS, ID=250A1.0 1.5 2.5 VGate-Threshold Voltage(Note 3)IGSSGate-Body Leakage VDS=0V, VGS=20V 100 nAIDSS VDS=60V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 A

 4.1. Size:920K  mcc
 mcac30n06y.pdf

MCAC30N06Y-TP MCAC30N06Y-TP

MCAC30N06YElectrical Characteristics @ 25C (Unless OtherwiseSpecified)Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max UnitStatic ParameterV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 60 VVGS(th) VDS=VGS, ID=250A1.0 1.5 2.5 VGate-Threshold Voltage(Note 3)IGSSGate-Body Leakage VDS=0V, VGS=20V 100 nAIDSS VDS=60V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 A

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 

Back to Top