MCAC30N06Y-TP - описание и поиск аналогов

 

MCAC30N06Y-TP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCAC30N06Y-TP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

Аналог (замена) для MCAC30N06Y-TP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC30N06Y-TP даташит

 ..1. Size:920K  1
 mcac30n06y-tp.pdf pdf_icon

MCAC30N06Y-TP

MCAC30N06Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless OtherwiseSpecified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Static Parameter V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 60 V VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A 1.0 1.5 2.5 V Gate-Threshold Voltage(Note 3) IGSS Gate-Body Leakage VDS=0V, VGS= 20V 100 nA IDSS VDS=60V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A

 4.1. Size:920K  mcc
 mcac30n06y.pdf pdf_icon

MCAC30N06Y-TP

MCAC30N06Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless OtherwiseSpecified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Static Parameter V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 60 V VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A 1.0 1.5 2.5 V Gate-Threshold Voltage(Note 3) IGSS Gate-Body Leakage VDS=0V, VGS= 20V 100 nA IDSS VDS=60V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A

Другие MOSFET... JSM7410 , JSM7788 , KCY3008A , KCY3310A , KNY3403B , LSGNE03R098WB , MCAC10H03-TP , MCAC16N03-TP , STP75NF75 , MCAC40N10YA-TP , MCAC50N06Y-TP , MCAC50N10Y-TP , MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP .

History: KO3416 | STF11N52K3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.